Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014, 10:01

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Cree präsentiert zwei neue 50 V HEMTs auf Galliumnitrid-Basis

München, 01. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei 50 V HEMTs (High Electron Mobility Transistors) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) vorgestellt, die keine Impedanzanpassung haben und sich ideal für den Einsatz in Breitbandverstärkern, Dauerstrich- und gepulsten Anwendungen hoher Leistung eignen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Oktober 2014, 12:20

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