Cree präsentiert das erste Produkt einer neuen Familie von 50 V GaN-HEMT-Chips

München, 16. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine Familie diskreter HEMT-Chips (High Electron Mobility Transistor) auf GaN-Basis mit 50 V Nennspannung entwickelt. Die neuen Bausteine der Typen CGHV60040D (40 W) und CGHV60170D (170 W) sind die einzigen gehäuselosen 50 V GaN-HEMT-Chips auf dem Markt und können jetzt geordert werden. Zusätzlich sollen bis Ende dieses Kalenderjahres ein weiterer Chip für 50 V und 20 W und Frequenzen bis 6 GHz sowie ein für bis zu 4 GHz geeigneter Chip für 50 V und 320 W vorgestellt werden.

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Neue Cree HEMT-Chips auf Galliumnitrid-Basis jetzt über Mouser verfügbar

München, 2. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat sieben neue GaN-HEMT-Chips auf dem Distributionsweg über Mouser verfügbar gemacht. Die mit einem Prozess mit 0,4 µm oder 0,25 µm Gatterlänge auf Siliziumkarbid-Substraten (SiC) hergestellten GaN-HEMT-Chips (Galliumnitrid High Electron Mobility Transistors) zeichnen sich gegenüber Chips auf der Basis von Silizium (Si) oder Galliumarsenid (GaAs) durch überlegene Performance-Werte aus, beispielsweise eine höhere Durchbruchspannung, gesättigte Elektronen-Driftgeschwindigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Effizienz. GaN-HEMTs von Cree bieten außerdem eine höhere Leistungsdichte und eine größere Bandbreite als konkurrierende Si- und GaAs-Technologien.

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