Wolfspeed erweitert C-Band-Portfolio für Radarsysteme um neuen GaN-HEMT

München, 25. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat mit dem neuen CGHV59070 GaN-HEMT für C-Band-Radarsysteme sein Portfolio an hocheffizienten C-Band-Radarbauteilen mit hoher Verstärkung und großer Bandbreiten erweitert. Der neue 70 W GaN-HEMT arbeitet bei 4,5 bis 5,9 GHz auf einer 50 V […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 25. Januar 2017, 11:04

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Wolfspeed präsentiert neues Hochleistungs-L-Band Radar GaN-HEMT

München, 23. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat den bis dato leistungsstärksten 50 V GaN-HEMT auf den Markt gebracht. Mit einem Hochleistungsimpuls von mindestens 800 W bei einem Betrieb von 1,2 – 1,4 GHz und 50 V mit mehr als 65 Prozent […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 23. Januar 2017, 11:21

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Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert

München, 21. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert. Dabei konnte die Ausfallrate von 5 pro einer Milliarde Betriebsstunden beibehalten werden, was die hohe Zuverlässigkeit und Leistung der GaN-on-SiC-Bausteine unterstreicht.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 21. März 2016, 11:26

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Wolfspeed stellt neue 50V/60W GaN-HEMTs vor

München, 5. November 2015 — Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, stellt zwei neue 50V/60W GaN-HEMT in Kunststoffgehäuse vor, welche die Vorteile von Galliumnitrid bei Leistung und Bandbreite mit einer günstigen Gehäuse-Plattform verbindet. Erhältlich im Miniaturformat (4,5mm x 6,5mm) mit ökonomischem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMT), eignen sich die Bauteile ideal für Kommunikationsanwendung wie etwa LTE, Base Transceiver Stations (BTS), Radar sowie Radiosysteme für die öffentliche Systeme und andere.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 5. November 2015, 11:02

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Neue Application Note von Cree zu Großsignal-Performance

München, 29. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine neue Applikationsschrift zur Genauigkeit seiner Großsignal-Modelle für HF-Leistungstransistoren herausgegeben. HF-Design-Ingenieure können dadurch die Zahl der Design-Iterationen, die Design-Zeit und die Entwicklungskosten reduzieren.

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Veröffentlicht von alicandro am 29. April 2015, 14:10

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Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014, 10:01

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Cree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen

Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen

Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt gemeinsam mit dem Halbleiter-Unternehmen Eta Devices den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen vor. Der Verstärker erzielt beim 4G-Übertragungsstandard LTE eine Effizienz von über 70 Prozent und setzt damit branchenweit neue Maßstäbe.

„Dank der hohen Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN HEMT RF-Transistoren von Cree lassen sich mit den neuen Leistungsverstärkern von Eta Devices für Mobilfunk-Basisstationen bahnbrechende Effizienzvorteile erzielen“, so Jim Milligan, Business Director, Cree RF. „Es ist vor allem unseren Transistoren zu verdanken, dass die Leistungsverstärker von Eta Devices im Vergleich zu den führenden, derzeit auf dem Markt verfügbaren Siliziumverstärkern im 4G-LTE-Bereich eine um 50 Prozent höhere Effizienz erreichen.“ Bislang erhältliche Verstärker für Mobilfunk-Basisstationen, die LDMOS-Siliziumtransistoren einsetzen, erzielen eine Leistungseffizienz von maximal 45 Prozent.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Februar 2013, 16:45

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Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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