Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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