Neues Power-Modul von Cree erschließt eine neue Dimension im Preis-Leistungs-Verhältnis von Stromrichtersystemen bis in den Megawattbereich

München, 27. Mai 2014 – Die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) von Cree, einem führenden Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, lässt mit einem neuen, rein SiC-bestückten 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul die Herstellung immer kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektronik-Systeme zu. Das neue Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse reduziert die auf das Schalten zurückzuführenden Verluste gegenüber entsprechenden Silizium-Lösungen auf weniger als ein Fünftel. Diese klassenbeste Effizienz ebnet erstmals den Weg zu vollständig mit SiC-Halbleitern aufgebauten Stromrichtern mit Leistungen bis in den Megawattbereich, sodass Cree seine führende Stellung in der SiC-Chip-Technologie nun auch auf Hochstrom-Module ausdehnt. (mehr…)

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