Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert

München, 21. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert. Dabei konnte die Ausfallrate von 5 pro einer Milliarde Betriebsstunden beibehalten werden, was die hohe Zuverlässigkeit und Leistung der GaN-on-SiC-Bausteine unterstreicht.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 21. März 2016, 11:26

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HF-Bausteine von Cree liefern Leistung auf Rekordniveau

GaN-HEMTs meistern Herausforderungen von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern München, 17. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei branchenführende GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) vorgestellt. Mit ihnen lassen sich eine Reihe seit langem bestehender Probleme von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern lösen. GaN-basierte […]

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Veröffentlicht von alicandro am 17. Juni 2015, 10:24

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Neue Application Note von Cree zu Großsignal-Performance

München, 29. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine neue Applikationsschrift zur Genauigkeit seiner Großsignal-Modelle für HF-Leistungstransistoren herausgegeben. HF-Design-Ingenieure können dadurch die Zahl der Design-Iterationen, die Design-Zeit und die Entwicklungskosten reduzieren.

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Veröffentlicht von alicandro am 29. April 2015, 14:10

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Cree stellt neuen 50 V Breitband GaN HEMT vor

München, 23. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie von 50 V GaN HEMT ohne Impedanzanpassung durch eine neue gehäuste 50-W-Version ergänzt. Der Baustein ermöglicht leistungsfähige, breitbandige Lösungen für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellen-Anwendungen mit Frequenzen bis 4 GHz, darunter schmalbandige UHF-Applikationen, L- und S-Band-Anwendungen und mehrere Oktaven abdeckende Breitbandverstärker.

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Veröffentlicht von alicandro am 23. April 2015, 14:32

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Cree stellt neuen 25 W GaN-MMIC-Leistungsverstärker vor

München, 31. März 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues 25 W GaN-MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) für den Bereich von 6 bis 12 GHz vorgestellt. Gestützt auf die prinzipbedingten Vorteile der GaN-Technologie ermöglicht das neue MMIC extrem große Bandbreiten und eine Augenblicksbandbreite. Es eignet sich ideal als Ersatz für Wanderfeldröhren-Verstärker (Traveling Wave Tube Amplifiers – TWTAs) in Radar- und Störsenderanwendungen, Prüfsystemen und Breitbandverstärkern.

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Veröffentlicht von alicandro am 31. März 2015, 12:08

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Cree präsentiert zwei neue 50 V HEMTs auf Galliumnitrid-Basis

München, 01. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei 50 V HEMTs (High Electron Mobility Transistors) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) vorgestellt, die keine Impedanzanpassung haben und sich ideal für den Einsatz in Breitbandverstärkern, Dauerstrich- und gepulsten Anwendungen hoher Leistung eignen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Oktober 2014, 12:20

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Cree stellt für kostengünstige Radar- und Datenverbindungs-Anwendungen GaN-Transistoren im Kunststoffgehäuse mit den höchsten Leistungs- und Frequenzwerten vor

München, 2. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert HEMT-Hochfrequenztransistoren auf GaN-Basis mit der höchsten Dauerstrichleistung im DFN-Format (Dual-Flat No-Leads). Die neuen DFN-Transistoren mit Leistungen von 6 W und 25 W zielen auf den kostensensiblen Markt der Verstärker für kommerzielle Radar- und Datenverbindungssysteme unter 100 W. Ineffiziente GaAs-Transistoren für das C- und das X-Band werden damit praktisch überflüssig. Darüber hinaus steht nun ein praktikabler Ersatz für die kurzlebige Röhrentechnik in kommerziellen Radarsystemen beispielsweise für Wetter-, Schifffahrts- und Überwachungsanwendungen zur Verfügung.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 2. Juni 2014, 13:20

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Cree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen

Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen

Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt gemeinsam mit dem Halbleiter-Unternehmen Eta Devices den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen vor. Der Verstärker erzielt beim 4G-Übertragungsstandard LTE eine Effizienz von über 70 Prozent und setzt damit branchenweit neue Maßstäbe.

„Dank der hohen Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN HEMT RF-Transistoren von Cree lassen sich mit den neuen Leistungsverstärkern von Eta Devices für Mobilfunk-Basisstationen bahnbrechende Effizienzvorteile erzielen“, so Jim Milligan, Business Director, Cree RF. „Es ist vor allem unseren Transistoren zu verdanken, dass die Leistungsverstärker von Eta Devices im Vergleich zu den führenden, derzeit auf dem Markt verfügbaren Siliziumverstärkern im 4G-LTE-Bereich eine um 50 Prozent höhere Effizienz erreichen.“ Bislang erhältliche Verstärker für Mobilfunk-Basisstationen, die LDMOS-Siliziumtransistoren einsetzen, erzielen eine Leistungseffizienz von maximal 45 Prozent.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Februar 2013, 16:45

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Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012, 10:12

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Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

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