Cree präsentiert neues Doherty-PA-Referenzdesign für Mobilfunk-Kleinzellen

München, 16. Februar 2015 – Zugeschnitten auf die Anforderungen von Kleinzellen-Designern hat Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, das neue Referenzdesign CDPA35045 vorgestellt, bei dem es sich um einen asymmetrischen Doherty-Leistungsverstärker (Power Amplifier – PA) für den Frequenzbereich von 3,5 bis 3,7 GHz handelt.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 16. Februar 2015, 11:57

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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Cree demonstriert ersten C-Band GaN HEMT MMIC High-Power Amplifier für die Satellitenkommunikation

München, 22. Juni 2011 – Cree hat den industrieweit ersten GaN HEMT MMIC High Power Amplifier (HPA) für Satellitenkommunikations-Anwendungen demonstriert. Das Produkt bietet entscheidende Performance-Verbesserungen gegenüber existierenden, kommerziell verfügbaren GaAs-MESFET-Transistoren oder Verstärkern auf der Basis von Wanderwellenröhren.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. Juni 2011, 16:12

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