Cree präsentiert den industrieweit ersten 900 V SiC-MOSFET und setzt damit neue Maßstäbe im Bereich der diskreten Leistungs-MOSFETs

München, 18. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt mit der ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten Durchbruch in der Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor. Die neue 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören. Auf dem Kostenniveau siliziumbasierter Lösungen schafft die neue 900 V SiC-Plattform die Voraussetzungen für eine neue Generation von Umrichtersystemen, die kleinere Abmessungen mit einem höheren Wirkungsgrad verbinden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 18. Mai 2015, 10:35

Tags: , , ,