Neue gehäuste 1.700 V SiC-Schottkydioden von Cree steigern die Effizienz und reduzieren Kosten in Hochstrom-Anwendungen

München, 29. Februar 2012 — Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat eine neue Serie von Dioden mit Gehäuse eingeführt. Die Bauelemente weisen die höchste Sperrspannung auf, die die Industrie im Bereich der SiC-Schottky-Technologie zu bieten hat. Die 1.700 V Z-Rec® Schottkydioden von Cree machen praktisch Schluss mit den Sperrverzögerungs-Verlusten alternativer Silizium-PiN-Dioden und ermöglichen extrem effiziente sowie kompaktere und leichtere Systeme, während sich die Zuverlässigkeit gleichzeitig verbessert. Die neu vorgestellten, gehäusten Produkte eignen sich für Solar-, Motortreiber- und Traktionsanwendungen. Die Z-Rec-Technologie ermöglicht Performance-Steigerungen und Systemkosten-Ersparnisse in Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme, die aus diskreten Bausteinen aufgebaut sind.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Februar 2012, 11:06

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Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

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