Cree stellt für das Ku-Band einen MMIC HPA mit bahnbrechender Leistung vor

München, 18. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert das leistungsstärkste MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits), das marktweit für das Ku-Band erhältlich ist. Der neue, als GaN-MMIC mit 30 W Leistung implementierte zweistufige High Power Amplifier (HPA) deckt das kommerzielle Satellitenkommunikations-Band von 13,5 bis 14,75 GHz ab. Die Satellitenkommunikations-Branche kann damit Ku-Band-Lösungen realisieren, die leistungsstärker und effizienter sind als die heute eingesetzten TWT- oder GaAs-Lösungen.

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Veröffentlicht von alicandro am 18. Juni 2015, 10:22

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Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

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Cree präsentiert neue GaN-HEMT-MMIC-Leistungsverstärker mit erweitertem X-Band Frequenzbereich

München, 26. August 2010 — Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen und Leistungshalbleitern auf Basis monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreise (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC), hat fünf neue GaN-MMIC-Verstärker mit High Electron Mobility Transistoren (HEMT) entwickelt. Diese unterstützen einen erweiterten X-Band Frequenzbereich. Die MMICs werden derzeit als gehäuselose Chips (Bare Die) bemustert. Noch in diesem Jahr werden auch gehäuste Chips verfügbar sein.

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