Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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Wolfspeed präsentiert neues SiC MOSFET für Elektroauto-Antriebsstrang

München, 11. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, stellt einen neuen 900V, 10mΩ MOSFET vor, das für eine Dauerbelastung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ausgelegt ist. Der MOSFET ermöglicht eine entscheidende Verringerung der Umrichterverluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um ganze 78 Prozent auf Basis des kombinierten EPA Stadt/Autobahn-Laufleistungsstandards. Automobilbauern bietet die neue Komponente attraktive Möglichkeiten im Hinblick auf Batterienutzung und Fahrzeugdesign. (weiterlesen…)

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Januar 2017, 10:32

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Wolfspeed präsentiert neuen 1700 V SiC-MOSFET

München, 02. November 2015 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, setzt auch weiterhin auf Innovationen bei der Entwicklung von Power-Technologie auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und präsentiert den industrieweit ersten 1700 V SiC-MOSFET, der für die Oberflächenmontage (SMD) optimiert wurde. Der C2M1000170J wurde speziell für die kommerzielle Verwendung in Hilfsstromversorgungen in Hochspannungs-Wechselrichtersystemen entwickelt.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 2. November 2015, 12:00

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Cree präsentiert den industrieweit ersten 900 V SiC-MOSFET und setzt damit neue Maßstäbe im Bereich der diskreten Leistungs-MOSFETs

München, 18. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt mit der ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten Durchbruch in der Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor. Die neue 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören. Auf dem Kostenniveau siliziumbasierter Lösungen schafft die neue 900 V SiC-Plattform die Voraussetzungen für eine neue Generation von Umrichtersystemen, die kleinere Abmessungen mit einem höheren Wirkungsgrad verbinden.

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Veröffentlicht von alicandro am 18. Mai 2015, 10:35

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PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

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Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015, 15:39

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Cree stellt neues Design Kit für 1.200 MOSFETs vor

München, 22. Januar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues MOSFET Design Kit präsentiert. Darin enthalten sind sämtliche Bauelemente, die zum Evaluieren der Leistungsfähigkeit von Cree MOSFETs und Schottky-Dioden in einer konfigurierbaren Halbbrückenschaltung benötigt werden.

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Veröffentlicht von alicandro am 22. Januar 2015, 10:50

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Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

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Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

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Cree präsentiert SiC-MOSFETs der zweiten Generation

Bauelemente bieten doppelte Stromtragfähigkeit bei gleichen Kosten

 

CRC020 Gen 2 MOSFET PRCree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, gibt die Einführung seiner zweiten SiC-MOSFET-Generation bekannt. Diese sorgt auf dem Preisniveau von Systemen, die auf Silizium-Bauelementen basieren, für mehr Energieeffizienz und geringere Systemabmessungen. Zu den halben Kosten der vorigen MOSFET-Generation von Cree zeichnen sich die neuen 1.200-V-MOSFETs durch branchenführende Leistungsdichte und Schalt-Effizienz aus. Mit diesem Preis-Leistungs-Verhältnis ermöglichen sie OEMs die Senkung der Systemkosten und verhelfen den Endanwendern, infolge des höheren Wirkungsgrads und der geringeren Installationskosten, zu weiteren Einsparungen. Letztere resultieren aus den kleineren Abmessungen und dem reduzierten Gewicht SiC-basierter Systeme.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. März 2013, 15:55

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Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges
Power-Modul aus SiC

 

cr5742-all-sic-cree-power-moduleMünchen, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem Cree-Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt ist. Das neue Hochfrequenzmodul ist für Stromstärken von 100 A und eine Sperrspannung von bis zu 1200 V ausgelegt. Cree präsentiert das SiC-Power-Modul auf der Fachmesse Electronica 2012 (13. bis 16. November, Messe München, Halle A5 / Stand 343) erstmals dem Fachpublikum.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 12. November 2012, 15:58

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