Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

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Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 
Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET™ SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012, 11:03

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Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

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Cree präsentiert Z-FET™ Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

sic-mosfets_neuCree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu steigern. Der neue MOSFET eignet sich mit seinem kleineren Nennstrom für eine Vielzahl preisgünstiger Applikationen. Zudem kann er parallelgeschaltet werden, um die Systemkosten zu senken und die Performance zu optimieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 26. Mai 2011, 16:30

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Cree stellt die ersten Leistungs-MOSFETs auf Siliziumcarbid-Basis vor, die die bisherigen Silizium-Produkte in Hochvolt-Leistungselektronik ab 1.200 V ersetzen dürften

München, 18. Januar 2011 – Mit einem Schritt, der im Bereich der energieeffizienten Leistungselektronik eine Performance-Revolution einläutet, hat Cree, Inc. (Nasdaq: CREE), ein Marktführer auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumcarbid (SiC), den ersten vollständig qualifizierten, kommerziellen Siliziumcarbid-Leistungs-MOSFET vorgestellt. Das Unternehmen setzt damit einen neuen Maßstab für energieeffiziente Leistungs-Schalter und ermöglicht Designingenieuren die Entwicklung von Hochspannungs-Schaltungen mit extrem hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringsten Schaltverlusten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Januar 2011, 17:12

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