GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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