PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015, 15:39

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PCIM 2014

Cree präsentiert auf der PCIM 2014, der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, in Halle 9, Stand 260 neuste Power-Bausteine auf Basis seiner innovativen Siliziumkarbid (SiC)-Technologie.

Die digitalen Pressemappen finden Sie in Deutsch und Englisch hier.

Kategorien: Pressemappen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 23. Mai 2014, 13:58

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Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

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Cree präsentiert zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter

München, 16. Mai 2014 – Cree gibt die Ergänzung seines Portfolios an Z-Rec® Schottky-Dioden durch zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter bekannt. Die neuen Bauelemente, die mit der branchenführenden SiC-Technologie des Unternehmens hergestellt werden, zeichnen sich durch ultrahohe Schaltgeschwindigkeit, erhöhte Effizienz, verbesserte thermische Eigenschaften, gesteigerte Zuverlässigkeit und ein einfacheres Schaltungsdesign aus und ermöglichen kostengünstigere Leistungselektronik-Systeme.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 16. Mai 2014, 12:11

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