Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

z-rec_sicCree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011, 16:13

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