Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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U.S. Air Force setzt weiterhin auf Power Module von Cree

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, und die U.S. Air Force haben einen Folgeauftrag über 4,1 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Die Finanzierung liefert die Voraussetzungen zum Bau eines leistungsstarken Power-Elektronik-Moduls, welches für den F-35 Joint Strike Fighter entwickelt wird, der das primäre Kampfflugzeug der US-Streitkräfte sowie der NATO werden soll. Die Umsetzung erfolgt über die erst kürzlich vorgestellte Firma „Wolfspeed“, unter der die Leistungselektronik- und HF-Sparte von Cree demnächst firmiert sein wird.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 24. September 2015, 14:38

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Neuer Name für Leistungselektronik- und HF-Sparte – Cree präsentiert Wolfspeed

München, 8. September 2015 — Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat Wolfspeed als neuen Namen seiner Leistungselektronik- und HF-Sparte vorgestellt. Das Unternehmen hatte im Mai bekannt gegeben, diesen Geschäftsbereich in eine eigenständige Firma auszugliedern.

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Veröffentlicht von alicandro am 8. September 2015, 11:02

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Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

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Cree präsentiert das erste Produkt einer neuen Familie von 50 V GaN-HEMT-Chips

München, 16. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine Familie diskreter HEMT-Chips (High Electron Mobility Transistor) auf GaN-Basis mit 50 V Nennspannung entwickelt. Die neuen Bausteine der Typen CGHV60040D (40 W) und CGHV60170D (170 W) sind die einzigen gehäuselosen 50 V GaN-HEMT-Chips auf dem Markt und können jetzt geordert werden. Zusätzlich sollen bis Ende dieses Kalenderjahres ein weiterer Chip für 50 V und 20 W und Frequenzen bis 6 GHz sowie ein für bis zu 4 GHz geeigneter Chip für 50 V und 320 W vorgestellt werden.

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Cree präsentiert neues GaN Process Design Kit

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues Process Design Kit (PDK) herausgegeben, das die neueste Version der ADS-Software (Advanced Design System) von Agilent Technologies mit den Parametern und Entwurfsregeln der proprietären GaN on SiC-Prozesstechnologie von Cree kombiniert.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. Oktober 2014, 13:21

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Cree stellt das industrieweit erste 1,7 kV Power Modul in reiner SiC-Technik vor

München, 08. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, baut seine Spitzenstellung auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) weiter aus und präsentiert das industrieweit erste, ausschließlich aus SiC-Komponenten aufgebaute 1,7 kV Power Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse.
CRC227 1700V 62mm Power Module PRmehr…)

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. Oktober 2014, 12:08

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Cree präsentiert zwei neue 50 V HEMTs auf Galliumnitrid-Basis

München, 01. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei 50 V HEMTs (High Electron Mobility Transistors) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) vorgestellt, die keine Impedanzanpassung haben und sich ideal für den Einsatz in Breitbandverstärkern, Dauerstrich- und gepulsten Anwendungen hoher Leistung eignen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Oktober 2014, 12:20

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Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

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Cree präsentiert zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter

München, 16. Mai 2014 – Cree gibt die Ergänzung seines Portfolios an Z-Rec® Schottky-Dioden durch zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter bekannt. Die neuen Bauelemente, die mit der branchenführenden SiC-Technologie des Unternehmens hergestellt werden, zeichnen sich durch ultrahohe Schaltgeschwindigkeit, erhöhte Effizienz, verbesserte thermische Eigenschaften, gesteigerte Zuverlässigkeit und ein einfacheres Schaltungsdesign aus und ermöglichen kostengünstigere Leistungselektronik-Systeme.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 16. Mai 2014, 12:11

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