SiC-MOSFETs von Cree befähigen Delta Elektronika BV zur Entwicklung einer neuen Generation hocheffizienter und hochzuverlässiger Netzteile

Das erweiterte MOSFET-Portfolio von Cree ermöglicht eine 21-prozentige Senkung der Verlustleistung und die Verwendung einer einfacheren Architektur mit halbiertem Bauteileaufwand

Cree SiC-MOSFET

Cree SiC-MOSFET

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, teilt mit, dass sein erneut erweitertes Portfolio an 1.200 V SiC-MOSFETs in den neuesten Netzteilen der Firma Delta Elektronika BV zum Einsatz kommt. Delta Elektronika konnte damit gegenüber Netzteilprodukten auf Basis konventioneller Silizium-Technik eine Senkung der Gesamtverluste im Netzteil um 21 Prozent und eine Verringerung des Bauteileaufwands um bis zu 45 Prozent demonstrieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Juli 2013, 11:49

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Cree präsentiert leistungsstarken Power-Baustein für zuverlässige und kostengünstige Stromwandlersysteme

Industrieweit erster komplett auf Siliziumkarbid (SiC) basierender dreiphasiger Power-Baustein reduziert Design-Einschränkungen

 

Module_only_CLosedCree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, bringt ein Siliziumkarbid (SiC) Sixpack-Power-Modul mit einem standardisierten 45 mm-Gehäuse auf den Markt. Im Vergleich zu Silizium-Modulen weist das Cree Sixpack-Modul bis zu 75 Prozent geringer Leistungsverluste auf. Dadurch kann die Größe des Kühlkörpers um bis zu 70 Prozent reduziert oder die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent gesteigert werden. Damit überwinden Entwickler bisherige Einschränkungen im Design und können gleichzeitig leistungsstärkere, zuverlässigere und kostengünstigere Stromwandlersysteme entwickeln. Die 1,2 kV, 50 A SiC-Bausteine liefern eine Leistung, die mit der von gängigen 150 A Silizium (Si)-Modulen vergleichbar ist.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 15. Mai 2013, 10:24

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Neue gehäuste 1.700 V SiC-Schottkydioden von Cree steigern die Effizienz und reduzieren Kosten in Hochstrom-Anwendungen

München, 29. Februar 2012 — Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat eine neue Serie von Dioden mit Gehäuse eingeführt. Die Bauelemente weisen die höchste Sperrspannung auf, die die Industrie im Bereich der SiC-Schottky-Technologie zu bieten hat. Die 1.700 V Z-Rec® Schottkydioden von Cree machen praktisch Schluss mit den Sperrverzögerungs-Verlusten alternativer Silizium-PiN-Dioden und ermöglichen extrem effiziente sowie kompaktere und leichtere Systeme, während sich die Zuverlässigkeit gleichzeitig verbessert. Die neu vorgestellten, gehäusten Produkte eignen sich für Solar-, Motortreiber- und Traktionsanwendungen. Die Z-Rec-Technologie ermöglicht Performance-Steigerungen und Systemkosten-Ersparnisse in Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme, die aus diskreten Bausteinen aufgebaut sind.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Februar 2012, 11:06

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Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

z-rec_sicMünchen, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011, 10:16

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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Cree präsentiert Z-FET™ Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

sic-mosfets_neuCree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu steigern. Der neue MOSFET eignet sich mit seinem kleineren Nennstrom für eine Vielzahl preisgünstiger Applikationen. Zudem kann er parallelgeschaltet werden, um die Systemkosten zu senken und die Performance zu optimieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 26. Mai 2011, 16:30

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