Cree stellt für kostengünstige Radar- und Datenverbindungs-Anwendungen GaN-Transistoren im Kunststoffgehäuse mit den höchsten Leistungs- und Frequenzwerten vor

München, 2. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert HEMT-Hochfrequenztransistoren auf GaN-Basis mit der höchsten Dauerstrichleistung im DFN-Format (Dual-Flat No-Leads). Die neuen DFN-Transistoren mit Leistungen von 6 W und 25 W zielen auf den kostensensiblen Markt der Verstärker für kommerzielle Radar- und Datenverbindungssysteme unter 100 W. Ineffiziente GaAs-Transistoren für das C- und das X-Band werden damit praktisch überflüssig. Darüber hinaus steht nun ein praktikabler Ersatz für die kurzlebige Röhrentechnik in kommerziellen Radarsystemen beispielsweise für Wetter-, Schifffahrts- und Überwachungsanwendungen zur Verfügung.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 2. Juni 2014, 13:20

Tags: , , , ,