Wolfspeed erweitert C-Band-Portfolio für Radarsysteme um neuen GaN-HEMT

München, 25. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat mit dem neuen CGHV59070 GaN-HEMT für C-Band-Radarsysteme sein Portfolio an hocheffizienten C-Band-Radarbauteilen mit hoher Verstärkung und großer Bandbreiten erweitert. Der neue 70 W GaN-HEMT arbeitet bei 4,5 bis 5,9 GHz auf einer 50 V […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 25. Januar 2017, 11:04

Tags: , ,

U.S. Air Force setzt weiterhin auf Power Module von Cree

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, und die U.S. Air Force haben einen Folgeauftrag über 4,1 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Die Finanzierung liefert die Voraussetzungen zum Bau eines leistungsstarken Power-Elektronik-Moduls, welches für den F-35 Joint Strike Fighter entwickelt wird, der das primäre Kampfflugzeug der US-Streitkräfte sowie der NATO werden soll. Die Umsetzung erfolgt über die erst kürzlich vorgestellte Firma „Wolfspeed“, unter der die Leistungselektronik- und HF-Sparte von Cree demnächst firmiert sein wird.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 24. September 2015, 14:38

Tags: , , , , ,

Cree stellt für das Ku-Band einen MMIC HPA mit bahnbrechender Leistung vor

München, 18. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert das leistungsstärkste MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits), das marktweit für das Ku-Band erhältlich ist. Der neue, als GaN-MMIC mit 30 W Leistung implementierte zweistufige High Power Amplifier (HPA) deckt das kommerzielle Satellitenkommunikations-Band von 13,5 bis 14,75 GHz ab. Die Satellitenkommunikations-Branche kann damit Ku-Band-Lösungen realisieren, die leistungsstärker und effizienter sind als die heute eingesetzten TWT- oder GaAs-Lösungen.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 18. Juni 2015, 10:22

Tags: , , ,

Cree stellt neuen 50 V Breitband GaN HEMT vor

München, 23. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie von 50 V GaN HEMT ohne Impedanzanpassung durch eine neue gehäuste 50-W-Version ergänzt. Der Baustein ermöglicht leistungsfähige, breitbandige Lösungen für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellen-Anwendungen mit Frequenzen bis 4 GHz, darunter schmalbandige UHF-Applikationen, L- und S-Band-Anwendungen und mehrere Oktaven abdeckende Breitbandverstärker.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 23. April 2015, 14:32

Tags: , , ,

Cree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen

Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen

Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt gemeinsam mit dem Halbleiter-Unternehmen Eta Devices den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen vor. Der Verstärker erzielt beim 4G-Übertragungsstandard LTE eine Effizienz von über 70 Prozent und setzt damit branchenweit neue Maßstäbe.

„Dank der hohen Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN HEMT RF-Transistoren von Cree lassen sich mit den neuen Leistungsverstärkern von Eta Devices für Mobilfunk-Basisstationen bahnbrechende Effizienzvorteile erzielen“, so Jim Milligan, Business Director, Cree RF. „Es ist vor allem unseren Transistoren zu verdanken, dass die Leistungsverstärker von Eta Devices im Vergleich zu den führenden, derzeit auf dem Markt verfügbaren Siliziumverstärkern im 4G-LTE-Bereich eine um 50 Prozent höhere Effizienz erreichen.“ Bislang erhältliche Verstärker für Mobilfunk-Basisstationen, die LDMOS-Siliziumtransistoren einsetzen, erzielen eine Leistungseffizienz von maximal 45 Prozent.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Februar 2013, 16:45

Tags: , , , , , , , ,

Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012, 10:12

Tags: , , , , , , ,

Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

Tags: , , , , ,

Cree demonstriert ersten C-Band GaN HEMT MMIC High-Power Amplifier für die Satellitenkommunikation

München, 22. Juni 2011 – Cree hat den industrieweit ersten GaN HEMT MMIC High Power Amplifier (HPA) für Satellitenkommunikations-Anwendungen demonstriert. Das Produkt bietet entscheidende Performance-Verbesserungen gegenüber existierenden, kommerziell verfügbaren GaAs-MESFET-Transistoren oder Verstärkern auf der Basis von Wanderwellenröhren.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. Juni 2011, 16:12

Tags: , , ,