Cree stellt neues Design Kit für 1.200 MOSFETs vor

München, 22. Januar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues MOSFET Design Kit präsentiert. Darin enthalten sind sämtliche Bauelemente, die zum Evaluieren der Leistungsfähigkeit von Cree MOSFETs und Schottky-Dioden in einer konfigurierbaren Halbbrückenschaltung benötigt werden.

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Veröffentlicht von alicandro am 22. Januar 2015, 10:50

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Cree präsentiert zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter

München, 16. Mai 2014 – Cree gibt die Ergänzung seines Portfolios an Z-Rec® Schottky-Dioden durch zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter bekannt. Die neuen Bauelemente, die mit der branchenführenden SiC-Technologie des Unternehmens hergestellt werden, zeichnen sich durch ultrahohe Schaltgeschwindigkeit, erhöhte Effizienz, verbesserte thermische Eigenschaften, gesteigerte Zuverlässigkeit und ein einfacheres Schaltungsdesign aus und ermöglichen kostengünstigere Leistungselektronik-Systeme.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 16. Mai 2014, 12:11

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Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

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Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 
Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET™ SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012, 11:03

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Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

z-rec_sicCree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011, 16:13

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Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

z-rec_sicMünchen, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011, 10:16

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Cree präsentiert die industrieweit erste oberflächenmontierbare 1.200 V Siliziumcarbid-Schottky-Diode

1200v-sic-schottky-d118d1bMünchen, 24. Februar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die industrieweit erste kommerzielle, 1.200 V SiC-Schottky-Diode in Surface-Mount-Ausführung vorgestellt. Mit ihrem oberflächenmontierbaren Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-252 D-Pak bietet diese Schottky-Diode die gleiche bewährte Performance wie die Cree-Bausteine im TO-220-Gehäuse für Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Footprint und weniger Bauhöhe. Dies erlaubt das Design kompakterer, kostengünstigerer und effizienterer Mikro-Wechselrichter für Photovoltaik-Anwendungen, als es mit den größeren Einsteck-Bauelementen möglich wäre.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Februar 2011, 16:15

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Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 650 V von Cree ermöglichen hoch effiziente Stromversorgungen für Rechenzentren

München, 07. Januar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat mit Z-Rec™ eine neue Produktlinie von Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS) mit 650 Volt vorgestellt. Die Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid sind auf die Anforderungen von hoch effizienten Stromversorgungen zugeschnitten, die derzeit in Rechenzentren Einzug halten.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 7. Januar 2011, 14:51

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