Cree stellt vier neue 650 V SiC Schottkydioden vor

München, 04. Februar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC Schottkydioden um vier neue 650 V Dioden erweitert. Die neuen Bausteine wurden als Reaktion auf die Nachfrage der Stromversorgungs-Industrie nach Bauteilen mit einer Nennspannung knapp über 600 V entwickelt. Die 650 V Cree Z-Rec SiC Schottkydioden schaffen die Voraussetzungen für hocheffiziente Power-Systeme mit verbesserter Zuverlässigkeit, mehr Einfachheit und niedrigeren Gesamtkosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 4. Februar 2015, 10:36

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Neue gehäuste 1.700 V SiC-Schottkydioden von Cree steigern die Effizienz und reduzieren Kosten in Hochstrom-Anwendungen

München, 29. Februar 2012 — Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat eine neue Serie von Dioden mit Gehäuse eingeführt. Die Bauelemente weisen die höchste Sperrspannung auf, die die Industrie im Bereich der SiC-Schottky-Technologie zu bieten hat. Die 1.700 V Z-Rec® Schottkydioden von Cree machen praktisch Schluss mit den Sperrverzögerungs-Verlusten alternativer Silizium-PiN-Dioden und ermöglichen extrem effiziente sowie kompaktere und leichtere Systeme, während sich die Zuverlässigkeit gleichzeitig verbessert. Die neu vorgestellten, gehäusten Produkte eignen sich für Solar-, Motortreiber- und Traktionsanwendungen. Die Z-Rec-Technologie ermöglicht Performance-Steigerungen und Systemkosten-Ersparnisse in Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme, die aus diskreten Bausteinen aufgebaut sind.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Februar 2012, 11:06

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