Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert

München, 21. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert. Dabei konnte die Ausfallrate von 5 pro einer Milliarde Betriebsstunden beibehalten werden, was die hohe Zuverlässigkeit und Leistung der GaN-on-SiC-Bausteine unterstreicht.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 21. März 2016, 11:26

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Wolfspeed präsentiert neuen 1700 V SiC-MOSFET

München, 02. November 2015 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, setzt auch weiterhin auf Innovationen bei der Entwicklung von Power-Technologie auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und präsentiert den industrieweit ersten 1700 V SiC-MOSFET, der für die Oberflächenmontage (SMD) optimiert wurde. Der C2M1000170J wurde speziell für die kommerzielle Verwendung in Hilfsstromversorgungen in Hochspannungs-Wechselrichtersystemen entwickelt.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 2. November 2015, 12:00

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Cree präsentiert den industrieweit ersten 900 V SiC-MOSFET und setzt damit neue Maßstäbe im Bereich der diskreten Leistungs-MOSFETs

München, 18. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt mit der ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten Durchbruch in der Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor. Die neue 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören. Auf dem Kostenniveau siliziumbasierter Lösungen schafft die neue 900 V SiC-Plattform die Voraussetzungen für eine neue Generation von Umrichtersystemen, die kleinere Abmessungen mit einem höheren Wirkungsgrad verbinden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 18. Mai 2015, 10:35

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PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015, 15:39

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Cree stellt vier neue 650 V SiC Schottkydioden vor

München, 04. Februar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC Schottkydioden um vier neue 650 V Dioden erweitert. Die neuen Bausteine wurden als Reaktion auf die Nachfrage der Stromversorgungs-Industrie nach Bauteilen mit einer Nennspannung knapp über 600 V entwickelt. Die 650 V Cree Z-Rec SiC Schottkydioden schaffen die Voraussetzungen für hocheffiziente Power-Systeme mit verbesserter Zuverlässigkeit, mehr Einfachheit und niedrigeren Gesamtkosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 4. Februar 2015, 10:36

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Cree setzt mit der SC5 Technology Plattform neue Leistungsmaßstäbe bei High Power LEDs

München, 06. November 2014 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, hat mit der wegweisenden SC5 Technology-Plattform einen Leistungssprung bei LEDs der Beleuchtungsklasse erzielt. Die neue Plattform ebnet mit der Einführung von Extreme High Power LEDs (XHP) den Weg für die nächste Generation von Beleuchtungssystemen. Die neue Kategorie von Leuchtdioden reduziert in vielen Beleuchtungsanwendungen die Systemkosten um bis zu 40 Prozent.

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 6. November 2014, 14:09

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Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Cree präsentiert neues GaN Process Design Kit

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues Process Design Kit (PDK) herausgegeben, das die neueste Version der ADS-Software (Advanced Design System) von Agilent Technologies mit den Parametern und Entwurfsregeln der proprietären GaN on SiC-Prozesstechnologie von Cree kombiniert.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. Oktober 2014, 13:21

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Cree stellt das industrieweit erste 1,7 kV Power Modul in reiner SiC-Technik vor

München, 08. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, baut seine Spitzenstellung auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) weiter aus und präsentiert das industrieweit erste, ausschließlich aus SiC-Komponenten aufgebaute 1,7 kV Power Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse.
CRC227 1700V 62mm Power Module PRmehr…)

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. Oktober 2014, 12:08

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