Neues Power-Modul von Cree erschließt eine neue Dimension im Preis-Leistungs-Verhältnis von Stromrichtersystemen bis in den Megawattbereich

München, 27. Mai 2014 – Die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) von Cree, einem führenden Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, lässt mit einem neuen, rein SiC-bestückten 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul die Herstellung immer kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektronik-Systeme zu. Das neue Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse reduziert die auf das Schalten zurückzuführenden Verluste gegenüber entsprechenden Silizium-Lösungen auf weniger als ein Fünftel. Diese klassenbeste Effizienz ebnet erstmals den Weg zu vollständig mit SiC-Halbleitern aufgebauten Stromrichtern mit Leistungen bis in den Megawattbereich, sodass Cree seine führende Stellung in der SiC-Chip-Technologie nun auch auf Hochstrom-Module ausdehnt. (mehr…)

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Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

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Cree präsentiert leistungsstarken Power-Baustein für zuverlässige und kostengünstige Stromwandlersysteme

Industrieweit erster komplett auf Siliziumkarbid (SiC) basierender dreiphasiger Power-Baustein reduziert Design-Einschränkungen

 

Module_only_CLosedCree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, bringt ein Siliziumkarbid (SiC) Sixpack-Power-Modul mit einem standardisierten 45 mm-Gehäuse auf den Markt. Im Vergleich zu Silizium-Modulen weist das Cree Sixpack-Modul bis zu 75 Prozent geringer Leistungsverluste auf. Dadurch kann die Größe des Kühlkörpers um bis zu 70 Prozent reduziert oder die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent gesteigert werden. Damit überwinden Entwickler bisherige Einschränkungen im Design und können gleichzeitig leistungsstärkere, zuverlässigere und kostengünstigere Stromwandlersysteme entwickeln. Die 1,2 kV, 50 A SiC-Bausteine liefern eine Leistung, die mit der von gängigen 150 A Silizium (Si)-Modulen vergleichbar ist.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 15. Mai 2013, 10:24

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Cree präsentiert SiC-MOSFETs der zweiten Generation

Bauelemente bieten doppelte Stromtragfähigkeit bei gleichen Kosten

 

CRC020 Gen 2 MOSFET PRCree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, gibt die Einführung seiner zweiten SiC-MOSFET-Generation bekannt. Diese sorgt auf dem Preisniveau von Systemen, die auf Silizium-Bauelementen basieren, für mehr Energieeffizienz und geringere Systemabmessungen. Zu den halben Kosten der vorigen MOSFET-Generation von Cree zeichnen sich die neuen 1.200-V-MOSFETs durch branchenführende Leistungsdichte und Schalt-Effizienz aus. Mit diesem Preis-Leistungs-Verhältnis ermöglichen sie OEMs die Senkung der Systemkosten und verhelfen den Endanwendern, infolge des höheren Wirkungsgrads und der geringeren Installationskosten, zu weiteren Einsparungen. Letztere resultieren aus den kleineren Abmessungen und dem reduzierten Gewicht SiC-basierter Systeme.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. März 2013, 15:55

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Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges
Power-Modul aus SiC

 

cr5742-all-sic-cree-power-moduleMünchen, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem Cree-Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt ist. Das neue Hochfrequenzmodul ist für Stromstärken von 100 A und eine Sperrspannung von bis zu 1200 V ausgelegt. Cree präsentiert das SiC-Power-Modul auf der Fachmesse Electronica 2012 (13. bis 16. November, Messe München, Halle A5 / Stand 343) erstmals dem Fachpublikum.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 12. November 2012, 15:58

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Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

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Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 
Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET™ SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012, 11:03

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Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

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Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

z-rec_sicCree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011, 16:13

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Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

z-rec_sicMünchen, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011, 10:16

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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