Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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U.S. Air Force setzt weiterhin auf Power Module von Cree

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, und die U.S. Air Force haben einen Folgeauftrag über 4,1 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Die Finanzierung liefert die Voraussetzungen zum Bau eines leistungsstarken Power-Elektronik-Moduls, welches für den F-35 Joint Strike Fighter entwickelt wird, der das primäre Kampfflugzeug der US-Streitkräfte sowie der NATO werden soll. Die Umsetzung erfolgt über die erst kürzlich vorgestellte Firma „Wolfspeed“, unter der die Leistungselektronik- und HF-Sparte von Cree demnächst firmiert sein wird.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 24. September 2015, 14:38

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Neues Power-Modul von Cree erschließt eine neue Dimension im Preis-Leistungs-Verhältnis von Stromrichtersystemen bis in den Megawattbereich

München, 27. Mai 2014 – Die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) von Cree, einem führenden Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, lässt mit einem neuen, rein SiC-bestückten 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul die Herstellung immer kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektronik-Systeme zu. Das neue Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse reduziert die auf das Schalten zurückzuführenden Verluste gegenüber entsprechenden Silizium-Lösungen auf weniger als ein Fünftel. Diese klassenbeste Effizienz ebnet erstmals den Weg zu vollständig mit SiC-Halbleitern aufgebauten Stromrichtern mit Leistungen bis in den Megawattbereich, sodass Cree seine führende Stellung in der SiC-Chip-Technologie nun auch auf Hochstrom-Module ausdehnt. (mehr…)

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Cree präsentiert SiC-MOSFETs der zweiten Generation

Bauelemente bieten doppelte Stromtragfähigkeit bei gleichen Kosten

 

CRC020 Gen 2 MOSFET PRCree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, gibt die Einführung seiner zweiten SiC-MOSFET-Generation bekannt. Diese sorgt auf dem Preisniveau von Systemen, die auf Silizium-Bauelementen basieren, für mehr Energieeffizienz und geringere Systemabmessungen. Zu den halben Kosten der vorigen MOSFET-Generation von Cree zeichnen sich die neuen 1.200-V-MOSFETs durch branchenführende Leistungsdichte und Schalt-Effizienz aus. Mit diesem Preis-Leistungs-Verhältnis ermöglichen sie OEMs die Senkung der Systemkosten und verhelfen den Endanwendern, infolge des höheren Wirkungsgrads und der geringeren Installationskosten, zu weiteren Einsparungen. Letztere resultieren aus den kleineren Abmessungen und dem reduzierten Gewicht SiC-basierter Systeme.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. März 2013, 15:55

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Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

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