PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015, 15:39

Tags: , , , ,

Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges
Power-Modul aus SiC

 

cr5742-all-sic-cree-power-moduleMünchen, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem Cree-Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt ist. Das neue Hochfrequenzmodul ist für Stromstärken von 100 A und eine Sperrspannung von bis zu 1200 V ausgelegt. Cree präsentiert das SiC-Power-Modul auf der Fachmesse Electronica 2012 (13. bis 16. November, Messe München, Halle A5 / Stand 343) erstmals dem Fachpublikum.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 12. November 2012, 15:58

Tags: , , , , ,