Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015, 11:11

Tags: , , , , , , , , ,

Cree setzt mit der SC5 Technology Plattform neue Leistungsmaßstäbe bei High Power LEDs

München, 06. November 2014 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, hat mit der wegweisenden SC5 Technology-Plattform einen Leistungssprung bei LEDs der Beleuchtungsklasse erzielt. Die neue Plattform ebnet mit der Einführung von Extreme High Power LEDs (XHP) den Weg für die nächste Generation von Beleuchtungssystemen. Die neue Kategorie von Leuchtdioden reduziert in vielen Beleuchtungsanwendungen die Systemkosten um bis zu 40 Prozent.

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 6. November 2014, 14:09

Tags: , , , , , , , , ,

Cree stellt das industrieweit erste 1,7 kV Power Modul in reiner SiC-Technik vor

München, 08. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, baut seine Spitzenstellung auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) weiter aus und präsentiert das industrieweit erste, ausschließlich aus SiC-Komponenten aufgebaute 1,7 kV Power Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse.
CRC227 1700V 62mm Power Module PRmehr…)

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. Oktober 2014, 12:08

Tags: , , , , , ,

Neues Power-Modul von Cree erschließt eine neue Dimension im Preis-Leistungs-Verhältnis von Stromrichtersystemen bis in den Megawattbereich

München, 27. Mai 2014 – Die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) von Cree, einem führenden Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, lässt mit einem neuen, rein SiC-bestückten 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul die Herstellung immer kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektronik-Systeme zu. Das neue Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse reduziert die auf das Schalten zurückzuführenden Verluste gegenüber entsprechenden Silizium-Lösungen auf weniger als ein Fünftel. Diese klassenbeste Effizienz ebnet erstmals den Weg zu vollständig mit SiC-Halbleitern aufgebauten Stromrichtern mit Leistungen bis in den Megawattbereich, sodass Cree seine führende Stellung in der SiC-Chip-Technologie nun auch auf Hochstrom-Module ausdehnt. (mehr…)

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

Tags: , , , , , , ,

Cree präsentiert die industrieweit leistungsfähigsten SiC-Schottky-Dioden

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt die neuen, hochleistungsfähigen Siliziumkarbid (SiC) Z-Rec® Schottky-Dioden der Reihe CPW5 vor, bei denen es sich um die erste kommerziell angebotene SiC-Gleichrichterfamilie für 50 A Nennstrom handelt. Die neuen Dioden machen die Kostensenkungen, den hohen Wirkungsgrad, die geringe Systemkomplexität und die verbesserte Zuverlässigkeit der SiC-Technologie jetzt auch für Hochleistungssysteme von 50 kW bis 1 MW verfügbar. Die Bauelemente eignen sich für anspruchsvolle Systeme wie etwa PV-Wechselrichter, Industrienetzteile, Induktionsheizungen, Batterieladestationen, Umrichter für Windkraftanlagen und Traktionswechselrichter. (mehr…)

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 10. März 2014, 11:15

Tags: , , ,

Cree präsentiert leistungsstarken Power-Baustein für zuverlässige und kostengünstige Stromwandlersysteme

Industrieweit erster komplett auf Siliziumkarbid (SiC) basierender dreiphasiger Power-Baustein reduziert Design-Einschränkungen

 

Module_only_CLosedCree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, bringt ein Siliziumkarbid (SiC) Sixpack-Power-Modul mit einem standardisierten 45 mm-Gehäuse auf den Markt. Im Vergleich zu Silizium-Modulen weist das Cree Sixpack-Modul bis zu 75 Prozent geringer Leistungsverluste auf. Dadurch kann die Größe des Kühlkörpers um bis zu 70 Prozent reduziert oder die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent gesteigert werden. Damit überwinden Entwickler bisherige Einschränkungen im Design und können gleichzeitig leistungsstärkere, zuverlässigere und kostengünstigere Stromwandlersysteme entwickeln. Die 1,2 kV, 50 A SiC-Bausteine liefern eine Leistung, die mit der von gängigen 150 A Silizium (Si)-Modulen vergleichbar ist.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 15. Mai 2013, 10:24

Tags: , , , , , , ,

Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

1700v_z-rec_schottky_diode

Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 
Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET™ SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012, 11:03

Tags: , , , , ,

Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

Tags: , , , , , , ,

Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

z-rec_sicCree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011, 16:13

Tags: , , , , , , ,