Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

z-rec_sicMünchen, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011, 10:16

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Cree präsentiert Z-FET™ Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

sic-mosfets_neuCree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu steigern. Der neue MOSFET eignet sich mit seinem kleineren Nennstrom für eine Vielzahl preisgünstiger Applikationen. Zudem kann er parallelgeschaltet werden, um die Systemkosten zu senken und die Performance zu optimieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 26. Mai 2011, 16:30

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Cree präsentiert die industrieweit erste oberflächenmontierbare 1.200 V Siliziumcarbid-Schottky-Diode

1200v-sic-schottky-d118d1bMünchen, 24. Februar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die industrieweit erste kommerzielle, 1.200 V SiC-Schottky-Diode in Surface-Mount-Ausführung vorgestellt. Mit ihrem oberflächenmontierbaren Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-252 D-Pak bietet diese Schottky-Diode die gleiche bewährte Performance wie die Cree-Bausteine im TO-220-Gehäuse für Einsteckmontage, allerdings mit kleinerem Leiterplatten-Footprint und weniger Bauhöhe. Dies erlaubt das Design kompakterer, kostengünstigerer und effizienterer Mikro-Wechselrichter für Photovoltaik-Anwendungen, als es mit den größeren Einsteck-Bauelementen möglich wäre.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Februar 2011, 16:15

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Cree stellt die ersten Leistungs-MOSFETs auf Siliziumcarbid-Basis vor, die die bisherigen Silizium-Produkte in Hochvolt-Leistungselektronik ab 1.200 V ersetzen dürften

München, 18. Januar 2011 – Mit einem Schritt, der im Bereich der energieeffizienten Leistungselektronik eine Performance-Revolution einläutet, hat Cree, Inc. (Nasdaq: CREE), ein Marktführer auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumcarbid (SiC), den ersten vollständig qualifizierten, kommerziellen Siliziumcarbid-Leistungs-MOSFET vorgestellt. Das Unternehmen setzt damit einen neuen Maßstab für energieeffiziente Leistungs-Schalter und ermöglicht Designingenieuren die Entwicklung von Hochspannungs-Schaltungen mit extrem hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringsten Schaltverlusten.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Januar 2011, 17:12

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Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 650 V von Cree ermöglichen hoch effiziente Stromversorgungen für Rechenzentren

München, 07. Januar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat mit Z-Rec™ eine neue Produktlinie von Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS) mit 650 Volt vorgestellt. Die Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid sind auf die Anforderungen von hoch effizienten Stromversorgungen zugeschnitten, die derzeit in Rechenzentren Einzug halten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 7. Januar 2011, 14:51

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Cree bringt 150mm Siliziumkarbid-Substrate

München, 22. September 2010 – CREE, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, stellt heute seine leistungsfähigen und qualitativ hochwertigen 150mm Siliziumkarbid-Substrate mit Micropipe-Dichten von weniger als 10/cm² vor. Damit ist Cree ein wichtiger Schritt in der Entwicklung und Großserien-Kommerzialisierung der Siliziumkarbid-Technologie (SiC) gelungen. Der derzeitige Standard bei SiC-Substraten liegt bei 100mm Materialdurchmesser. Bei SiC handelt es […]

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. September 2010, 10:09

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