Cree präsentiert SiC-MOSFETs der zweiten Generation

Bauelemente bieten doppelte Stromtragfähigkeit bei gleichen Kosten

 

CRC020 Gen 2 MOSFET PRCree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, gibt die Einführung seiner zweiten SiC-MOSFET-Generation bekannt. Diese sorgt auf dem Preisniveau von Systemen, die auf Silizium-Bauelementen basieren, für mehr Energieeffizienz und geringere Systemabmessungen. Zu den halben Kosten der vorigen MOSFET-Generation von Cree zeichnen sich die neuen 1.200-V-MOSFETs durch branchenführende Leistungsdichte und Schalt-Effizienz aus. Mit diesem Preis-Leistungs-Verhältnis ermöglichen sie OEMs die Senkung der Systemkosten und verhelfen den Endanwendern, infolge des höheren Wirkungsgrads und der geringeren Installationskosten, zu weiteren Einsparungen. Letztere resultieren aus den kleineren Abmessungen und dem reduzierten Gewicht SiC-basierter Systeme.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. März 2013, 15:55

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