Cree stellt vier neue 650 V SiC Schottkydioden vor

München, 04. Februar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC Schottkydioden um vier neue 650 V Dioden erweitert. Die neuen Bausteine wurden als Reaktion auf die Nachfrage der Stromversorgungs-Industrie nach Bauteilen mit einer Nennspannung knapp über 600 V entwickelt. Die 650 V Cree Z-Rec SiC Schottkydioden schaffen die Voraussetzungen für hocheffiziente Power-Systeme mit verbesserter Zuverlässigkeit, mehr Einfachheit und niedrigeren Gesamtkosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 4. Februar 2015, 10:36

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