Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014, 10:01

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Cree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen

Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen

Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt gemeinsam mit dem Halbleiter-Unternehmen Eta Devices den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen vor. Der Verstärker erzielt beim 4G-Übertragungsstandard LTE eine Effizienz von über 70 Prozent und setzt damit branchenweit neue Maßstäbe.

„Dank der hohen Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN HEMT RF-Transistoren von Cree lassen sich mit den neuen Leistungsverstärkern von Eta Devices für Mobilfunk-Basisstationen bahnbrechende Effizienzvorteile erzielen“, so Jim Milligan, Business Director, Cree RF. „Es ist vor allem unseren Transistoren zu verdanken, dass die Leistungsverstärker von Eta Devices im Vergleich zu den führenden, derzeit auf dem Markt verfügbaren Siliziumverstärkern im 4G-LTE-Bereich eine um 50 Prozent höhere Effizienz erreichen.“ Bislang erhältliche Verstärker für Mobilfunk-Basisstationen, die LDMOS-Siliziumtransistoren einsetzen, erzielen eine Leistungseffizienz von maximal 45 Prozent.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Februar 2013, 16:45

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Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012, 10:12

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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