HF-Bausteine von Cree liefern Leistung auf Rekordniveau

GaN-HEMTs meistern Herausforderungen von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern München, 17. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei branchenführende GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) vorgestellt. Mit ihnen lassen sich eine Reihe seit langem bestehender Probleme von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern lösen. GaN-basierte […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 17. Juni 2015, 10:24

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