Neue Z-FET™-MOSFETs und Dioden von Cree steigern Energieeffizienz

Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), treibt die Entwicklung hocheffizienter Leistungselektronik weiter voran und bringt die industrieweit ersten vollständig qualifizierten SiC-Leistungs-MOSFETs in Bare-Die-Chipform auf den Markt. Diese eignen sich besonders für die Verwendung in Leistungselektronik-Modulen. Die auf SiC basierenden Z-FET™ MOSFETs und Dioden von Cree kommen in anspruchsvollen Leistungselektronik-Schaltungen zum Einsatz und ermöglichen dort deutlich höhere Energieeffizienz-Werte, als sie mit konventionellen Silizium-Bausteinen erreicht werden können. Damit ergeben sich neue Möglichkeiten zur Steigerung der Energieeffizienz von Leistungs-Applikationen in den Bereichen Photovoltaik, Industrie und Antriebstechnik.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 24. Januar 2012, 10:54

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Cree präsentiert Z-FET™ Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

sic-mosfets_neuCree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu steigern. Der neue MOSFET eignet sich mit seinem kleineren Nennstrom für eine Vielzahl preisgünstiger Applikationen. Zudem kann er parallelgeschaltet werden, um die Systemkosten zu senken und die Performance zu optimieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 26. Mai 2011, 16:30

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