Wolfspeed erweitert sein Portfolio an SiC-Schottky-Dioden

München, 9. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert sein Portfolio an SiC-Schottky-Dioden um vier neue Gleichrichter und bietet damit die umfassendste Produktpalette in diesem Segment.  Die neuen 650 V und 1.200 V Z-Rec-SiC-Schottky-Dioden ermöglichen das Design effizienter Systeme zur Leistungsumwandlung, die noch zuverlässiger, […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 9. Februar 2017, 11:05

Tags: , ,

Cree präsentiert zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter

München, 16. Mai 2014 – Cree gibt die Ergänzung seines Portfolios an Z-Rec® Schottky-Dioden durch zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter bekannt. Die neuen Bauelemente, die mit der branchenführenden SiC-Technologie des Unternehmens hergestellt werden, zeichnen sich durch ultrahohe Schaltgeschwindigkeit, erhöhte Effizienz, verbesserte thermische Eigenschaften, gesteigerte Zuverlässigkeit und ein einfacheres Schaltungsdesign aus und ermöglichen kostengünstigere Leistungselektronik-Systeme.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 16. Mai 2014, 12:11

Tags: , , , , ,

Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

z-rec_sicCree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011, 16:13

Tags: , , , , , , ,

Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

z-rec_sicMünchen, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011, 10:16

Tags: , , , ,